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周末出新招!3D堆叠、背面供电、背面触点“抱团”推进新方法

2024-02-07   来源 : 网红

应用领域付诸了较好的性能指标,有望让电网解决方案充分利用未来会数值对压差和能效的供给。

英特尔公司挺进2D电子元件应用领域的共同开发设计兼职,以使其在未来会以前按照英特尔公司公司的鼓点微缩下去:

●过渡阶段金属和二硫属化物(TMD, Transition metal dichalcogenide)2D通道胶合板让电子元件物理电子元件长度有急于微缩到10聚乙烯以下。在IEDM 2023上,英特尔公司将演示高电导(high-mobility)的过渡阶段金属和二硫属化物电子元件原HG,用于NMOS(nHG金属和氧化物矽)和PMOS(pHG金属和氧化物矽)这两大CMOS关键框架。此外,英特尔公司还将演示其年末付诸的两项系统设计:GAA 2D过渡阶段金属和二硫属化物PMOS电子元件和在300毫米封装上制造的2D电子元件。

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