台积电：计划2024年带入ASML最新一代EUV光刻机

澎湃名记者 周玲

DRAM、超微、Galaxy等集成电路生产商正在争夺当前代人光刻机。

6翌年17日，DRAM极低管在宾夕法尼亚州硅谷举行的新技术交流会上声称之为，该的公司将在2024年应运而生西班牙厂商阿斯麦（ASML）的当前代人EUV（极紫外光）光刻机。

DRAM技术开发低阶常务董事米玉杰在上述交流会上声称之为：“展望未来，DRAM将在2024年应运而生极低数值孔径的极紫外（High-NA EUV）光刻机，为的是开发设计买家所需相关配套和模式解决方案，有利于推动国际化。”

米玉杰从未说明这项设备何时将套用于投产。不过，DRAM业务开发设计资深副总经理张晓强随后说明，DRAM2024年还不准备套用非常进一步极低数值孔径EUV工具来生产，主要可用目地是跟伙伴进行研究课题。

随着芯片工艺越来越复杂极低效率，无论DRAM、Galaxy还是超微都必需有别于EUV光刻机。

今年此前，ASML对外声称之为，正在与其合作伙伴两人开发设计下代人High-NA光刻机 ——Twinscan EXE：5000 系列。据了解到，新High-NA光刻机兼具0.55NA（High-NA ）的透镜，分辨率远超8nm，将非常复杂、非常庞大且价格昂贵，非常利于3nm及以上PCB的工艺制造。

CNN也曾报导，ASML的公司从未获得了 5 个 High-NA 产品的试点下单，预计将于2024年交付，并有着“超过 5 个”下单必需从2025年开始交付的投产型号。

在此不久对EUV新技术不力挺的超微的公司以前积极向EUV新技术切入，并希望能够率先有别于当前代人High-NA光刻机。

超微极低层在此不久对外声称之为，该的公司会带入首发用户，抢下了三台0.55NA的EUV光刻机，而且首批6台中超微也占去了大头，DRAM、Galaxy会慢一波。超微还声称之为，2025年将开始以极低数值孔径EUV进行生产。

月末正在欧洲访问的Galaxy集团副理事长、Galaxy集团也就是说控制人陈在镕拜访ASML。6翌年17日，韩媒体报导称之为，陈在镕在西班牙访问ASML不久，从未确保取得额外的极紫外光（EUV）微影设备。

参加DRAM上述新闻网站的产业调查机构TechInsights晶圆政治学家赫奇森（G． Dan Hutcheson）说：“DRAM2024年拥有这种设备的重要性，在于他们非常快速认识到最极低效率新技术。”

赫奇森指出，EUV新技术已带入走在尖端的决定性，极低数值孔径EUV则是推进晶圆新技术的下一个重大国际化。

DRAM和澳洲新技术新闻网站连续两年以线上方式举行，今年于宾夕法尼亚州加州华盛顿州市恢复承办实体新闻网站。

DRAM在新闻网站上首度发行有别于nm片电晶体的新代人极低效率2nm（N2）PCB新技术，以及支援N3与N3EPCB的独特TSMC FINFLEX新技术，将带入全球第1家率先提供2nmPCB该的公司增值的晶圆厂。

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